- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375775 > FDI038AN06A0 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FDI038AN06A0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз |
| 中文描述： | 17 A, 60 V, 0.0038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AB |
| 封裝： | TO-262AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | FDI038AN06A0 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 Rev. A1
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP038AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз |
| FDI2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDI33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDI038AN06A0_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.8m?? |
| FDI038AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDI038N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 168A, 4.0mW |
| FDI040N06 | 功能描述:MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI045N10A | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:PowerTrench® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。