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參數資料
型號: FDM3622
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 4.4 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: 3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, MLP-8
文件頁數: 6/11頁
文件大小: 231K
代理商: FDM3622
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM3622 Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
N
6
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
100
1200
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
D
= 4.4A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESI
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PDF描述
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FDMA1025P Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm
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