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參數資料
型號: FDM606P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET
中文描述: 6.8 A, 20 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: MICROFET-10
文件頁數: 3/6頁
文件大小: 146K
代理商: FDM606P
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM606P Rev. C,
F
Typical Characteristic
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
25
50
75
100
125
150
-
D
,
T
A
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-5
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
10
100
200
5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
3
10
2
-
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= -2.5V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
V
GS
= -4.5V
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