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參數資料
| 型號： | FDM606P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET |
| 中文描述： | 6.8 A, 20 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MICROFET-10 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | FDM606P |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDM6296 | CAP CER 47000PF 100V Y5V 1206 |
| FDMA1023PZ | Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.7A, 72mohm |
| FDMA1025P | Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm |
| FDMA1027P | CAP CER 10UF 6.3V X5R 1206 |
| FDMA1028NZ | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDM606P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch Power Trench Logic Level 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDM6296 | 功能描述:MOSFET N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDM6296_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel Logic-Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V,11.5A, 10.5mヘ |
| FDM70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Logic IC |
| FDM7030BL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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