- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375776 > FDMB3800N_0610 (Fairchild Semiconductor Corporation) Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDMB3800N_0610 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз |
| 中文描述： | 雙N溝道PowerTrench MOSFET的30V的㈢，4.8A，40mз |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | FDMB3800N_0610 |
F
M
FDMB3800N Rev.C1
www.fairchildsemi.com
6
Dimensional Outline and Pad Layout
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMB3800N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMB506P | P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDMB668P | P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm |
| FDMC2523P_07 | P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P | P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDMB3900AN | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Chanenl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMB506P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC0205 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC0222 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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