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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDN342P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 307K |
| 代理商： | FDN342P |
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-
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 270
°
C/W
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0
0.0001
4
8
12
16
20
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=270
o
C/W
T
A
=25
o
C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -2A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s1s
100ms
10ms
1ms
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
0
200
400
600
800
1000
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN352AP | Single P-Channel, PowerTrench |
| FDN357N | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN358 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN358P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN359BN | N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDN342P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN352AP | 功能描述:MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN352AP_0508 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel, PowerTrench MOSFET |
| FDN352AP-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN352AP Series 30 V 180 mOhm Single P-Channel PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN357N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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