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參數資料
| 型號： | FDN342P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 307K |
| 代理商： | FDN342P |
SuperSOT
-3 (FS PKG Code 32)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0097
SuperSOT
TM
-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN352AP | Single P-Channel, PowerTrench |
| FDN357N | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN358 | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN358P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDN359BN | N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDN342P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDN352AP | 功能描述:MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDN352AP_0508 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel, PowerTrench MOSFET |
| FDN352AP-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN352AP Series 30 V 180 mOhm Single P-Channel PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| FDN357N | 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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