欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FDN358P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 1500 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-3
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 85K
代理商: FDN358P
FDN358P Rev.D
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10V
I = -1.5A
-15V
0.1
0.2
0.5
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
-
D
RDS(ON) LIMIT
A
T = 25°C
A
DC
1s
10s
100ms
10ms
1ms
V = -10V
SINGLE PULSE
R = 250°C/W
JA
0
0.001
0.01
SINGLE PULSE TIME (SEC)
0.1
1
10
100 300
10
20
30
40
50
P
SINGLE PULSE
R =250° C/W
T = 25°C
θ
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 250 °C/W
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
20
50
100
200
400
700
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET
FDN359 N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDN360 Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDN360P Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDN358P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23
FDN358P_G 制造商:Fairchild 功能描述:Single Pch, Logic Level, Power
FDN358P_Q 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN358P-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN358P Series 30V 125 mOhm Single P-Ch Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
FDN359 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
主站蜘蛛池模板: 阳信县| 红安县| 开化县| 江永县| 屯留县| 怀远县| 巴塘县| 木里| 井研县| 隆尧县| 句容市| 阳原县| 盈江县| 固始县| 鸡西市| 翁牛特旗| 石城县| 呼玛县| 万全县| 密山市| 义马市| 台北市| 丹阳市| 开封县| 岐山县| 新建县| 清镇市| 隆昌县| 大关县| 海兴县| 吉木乃县| 广东省| 内乡县| 都昌县| 和顺县| 噶尔县| 岐山县| 永安市| 岫岩| 吉隆县| 平邑县|