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參數資料
型號: FDN5618
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述: 60V的P通道MOSFET的邏輯電平的PowerTrench
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 385K
代理商: FDN5618
FDN5618P Rev B(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= -1.25A
V
DS
= -20V
-40V
-30V
0
100
200
300
400
500
600
700
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
=-10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 270 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料
PDF描述
FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP047AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
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參數描述
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FDN5630 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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