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參數資料
| 型號： | FDP33N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 790K |
| 代理商： | FDP33N25 |
5
www.fairchildsemi.com
FDP33N25 Rev A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
| FDP3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
| FDP3682 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз |
| FDP3682 | STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY |
| FDB3682 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 32A, 36mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDP33N25_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDP34N33 | 功能描述:MOSFET N-CH 330V 34A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:* 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| FDP3632 | 功能描述:MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDP3632_G | 制造商:Fairchild 功能描述:TO-220,SINGLE,NCH,100V,99M OHM |
| FDP3632_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:100V/80A N-CH MOSFET |
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