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參數資料
型號: FDP5690
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: 32 A, 60 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 4/16頁
文件大小: 391K
代理商: FDP5690
F
FDP5690/FDB5690 Rev.
C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
0
400
800
1200
1600
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
500
1000
1500
2000
2500
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (ms)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.6
o
C/W
TA = 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.6
°
C/W
T - T = P * R (t)
JC
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
RDS(ON) LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.3
o
C/W
T
C
= 25
o
C
I
D
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 16A
V
DS
= 10V
20V
30V
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PDF描述
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