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參數(shù)資料
型號: FDP5690
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
中文描述: 32 A, 60 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/16頁
文件大小: 391K
代理商: FDP5690
TO-220 (FS PKG Code 37)
TO-220 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB6030 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDP6030 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDP5690_Q 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5800 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5N50_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET
FDP5N50F 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ
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