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參數資料
| 型號： | FDPF12N35 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 350V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 12 A, 350 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 797K |
| 代理商： | FDPF12N35 |
7
www.fairchildsemi.com
FDPF12N35 Rev. A
F
Mechanical Dimensions
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–0.05
TO-220F
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF2710T | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 2.7 to 2.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
| FDPF33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDPF39N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDPF44N25T | 250V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDPF12N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
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| FDPF12N50NZ | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V N-CH MOSFET SINGLE GAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDPF12N50NZT | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:UniFET-II™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| FDPF12N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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