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參數資料
型號: FDR6580
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: N-Chennal 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述: 11200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SUPERSOT-8
文件頁數: 2/6頁
文件大小: 241K
代理商: FDR6580
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θ
θ
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μ
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Electrical Characteristics
T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
I
GSSF
Gate-Body Leakage, Forward
I
GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
20
V
μ
A
μ
A
μ
A
1
10
-10
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
R
DS(ON)
Static Drain-Source
On-Resistance
I
D(ON)
On-State Drain Current
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 11 A
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 9.3 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
0.4
1.5
0.009
0.013
V
25
A
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
1.5
1.2
A
V
V
GS
= 0 V, I
S
= 1.5 A
(Note 2)
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°
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#
'
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##'-
°
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°
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