- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375780 > FDR836P (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) P-Channel 2.5V Specified MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDR836P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified MOSFET |
| 中文描述： | 6100 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-8 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | FDR836P |
F
FDR836P, Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
4
8
12
16
20
-I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -2.0V
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -6.1A
V
GS
= -4.5V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -3 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR838P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDR840P | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDW2520C | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDR840 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDR838P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR838P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-8 |
| FDR840 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDR842P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。