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參數資料
型號: FDS2582
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 12 AMP MINIATURE POWER RELAY
中文描述: 4.1 A, 150 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SO-8
文件頁數: 5/11頁
文件大小: 283K
代理商: FDS2582
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2582 Rev. B
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
150
3000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 75V
D
= 4.1A
I
D
= 2A
WAVEFORMS IN
DESI
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