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參數資料
| 型號： | FDS2582 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| 中文描述： | 4.1 A, 150 V, 0.066 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | FDS2582 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2582 Rev. B
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
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0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
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AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
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DUT
I
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L
V
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Q
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V
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= 2V
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V
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= 10V
V
DS
V
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0
0
Q
gs
Q
gd
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V
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L
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DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
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t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, 70mз |
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| FDS3512 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS2582 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS2582_Q | 功能描述:MOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS2670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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