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參數資料
| 型號： | FDS2670 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 3000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | FDS2670 |
FDS2670 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
3
6
9
12
15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 3.0 A
V
DS
= 40V
100 V
70
0
500
1000
1500
2000
0
20
40
60
80
100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
0
0.001
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 125°C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2672 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, 70mз |
| FDS2734 | N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm |
| FDS3170N7 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3512 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3570 | 80V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | 功能描述:MOSFET 200V 3.9A 70OHM NCH ULTRAFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
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