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參數資料
| 型號： | FDS4897C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SO-8 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | FDS4897C |
FDS4897C Rev C(W)
www.fairchildsemi.com
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 7A
V
DS
= 10V
30V
20V
0
200
400
600
800
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10.0V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
I
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135°C/W
T
A
= 25°C
1
10
100
0.01
0.1
t
AV
, TIME IN AVANCHE(ms)
1
10
I
(
,
T
J
= 25
o
C
Figure 11. Single Pulse Maximum Peak
Current.
Figure 12. Unclamped Inductive Switching
Capability.
F
M
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| FDS4935A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935A Series 30 V 23 mOhm Dual 30V P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
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