- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375782 > FDS4953 (Microsemi Corporation) RES ARRAY 360 OHM 4TERM 2RES SMD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FDS4953 |
| 廠商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | RES ARRAY 360 OHM 4TERM 2RES SMD |
| 中文描述： | 評估板 |
| 文件頁數(shù)： | 17/18頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | FDS4953 |
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 17
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
P
RINTED
C
IRCUIT
B
OARD
Bottom Layer
Top Layer
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6612A | EVALUATION KIT |
| FDS4953 | Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6612A | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS5170N7 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5670 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS4953_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5170N7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5351 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。