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參數(shù)資料
| 型號： | FDS4953 |
| 廠商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | RES ARRAY 360 OHM 4TERM 2RES SMD |
| 中文描述： | 評估板 |
| 文件頁數(shù)： | 6/18頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | FDS4953 |
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 6
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
S
CHEMATIC
VDD
PVDD
CP
RPW M
CPW M
VREF
V25
GND
SLEEP
MUTE
INAMPOUT
INPUT+
INPUT-
EAOUT
EAIN
FAOUT
STATUS
CLOCK
P+
PGND
CN
FBK+
FBK-
N+
P-
N-
IS-
R5 34.8K
R1 56.2K
R2 10K
C11
4.7μF
C3
470nF
C14
470nF
C4
150pF
C5
18pF
R8 10K
R9 10K
C26
330pF
C2
1μF
C1
1μF
C16
100pF
MUTE
SLEEP
V
IN
7V to 15V
C22
.1μF
R11
10 ohm
R6
10 ohm
R10
10 ohm
R12
10 ohm
Q3
Q2
Q4
C8
.1μF
50V
RS1
.0347
C17
220μF
25V
Q1
C12
.1μF
C10
4.7μF
R13
15 ohm
1W
L1 15μH
L2 15μH
C20
.68μF
C21
.68μF
C19
.47μF
C18
.47μF
R3
24.3K
C7
220pF
R4
24.3K
C6
220pF
LX1710
NC
NC
AUDIO
INPUT
NC
25
24
26
5
6
1
4
2
10
11
9
7
8
14
13
15
28
27
23
22
20
21
19
18
16
17
12
NC
3
C9
0.1μF
35V
+
C13
2.2μF
+
+
+
– Evaluation Board Schematic
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6612A | EVALUATION KIT |
| FDS4953 | Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6612A | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS5170N7 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5670 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS4953_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5170N7 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5351 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5670 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
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