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參數資料
| 型號： | FDS5672 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 12000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | FDS5672 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS5672 Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
N
4
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1.
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2.
0
3
6
9
12
15
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3.
0.001
0.01
0.1
1
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4.
10
100
1100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
Peak Current Capability
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS5682 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5682_NL | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5690 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6064N3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS5680 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS5680 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS5680 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR |
| FDS5680_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS5682 | 功能描述:MOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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