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參數資料
| 型號： | FDS5690 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 7000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | FDS5690 |
F
FDS5690 Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 7A
V
DS
= 10V
20V
30V
0
400
800
1200
1600
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=125
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10s
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PDF描述 |
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參數描述 |
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