- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375782 > FDS6612A (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDS6612A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 8400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/18頁(yè) |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | FDS6612A |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)當(dāng)前第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 16
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
P
RINTED
C
IRCUIT
B
OARD
L
AYOUT
Silkscreen Layer
CN1
: RCA Jack
Audio In
J3
: Optional Connections
Audio In +, Audio In -
TB1
: Power Supply Terminal Block
+V, GND
J2
: Mute Jumper
J1
: Sleep Jumper
TB2
: Audio Output Terminal Block
+ OUT, - OUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS5170N7 | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5670 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS5672 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS5680 | 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDS5682 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDS6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SO8 SINGLE NCH :ROHS COMPLIANT |
| FDS6612A_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET |
| FDS6612A_D84Z | 功能描述:MOSFET Single N-Ch LL Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6612A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6614A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。