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參數資料
| 型號： | FDS6644 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | FDS6644 |
FDS6644 Rev A(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 13A
V
DS
= 5V
15V
10V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100μs
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| FDS6670S | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FDS6670AS | 功能描述:MOSFET 30V N-CH POWER TRENCH SYNCFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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