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參數資料
| 型號： | FDS6670S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| 中文描述： | 13500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | FDS6670S |
FDS6670S Rev E (W)
Scale 1 : 1 on letter size paper
2.
Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
3.
See “SyncFET Schottky body diode characteristics” below.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6672 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6672A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6673AZ | 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6675A | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6675 | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDS6670S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| FDS6672 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6672A | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDS6672A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6672A_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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