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參數(shù)資料
型號: FDU8870
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 21 A, 30 V, 0.0044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝: IPAK-3
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大小: 129K
代理商: FDU8870
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8870 / FDU8870 Rev. C
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18.
Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
Q
g(5)
V
GS
= 5V
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD8880 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDDL300 OPTOISOLATOR W/BASE 6-DIP
FDDL300A High Conductance Low Leakage Diode
FDDL333 High Conductance Low Leakage Diode
FDFC2P100 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3A, 150mohm
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參數(shù)描述
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FDU8876 功能描述:MOSFET 30V 73A 8.2 OHM NCH PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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