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參數資料
| 型號： | FDW2504P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 3800 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA |
| 封裝： | TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 1427K |
| 代理商： | FDW2504P |
FDW2504P Rev. C (W)
Typical Characteristics
0
6
12
18
24
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= -4.5V
-4.0V
-2.5V
-3.5V
-3.0V
-2.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
30
- I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= -2.5V
-3.5V
-4.5V
-3.0V
-4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= -3.8A
V
GS
= -4.5V
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= -1.9A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
6
12
18
24
30
0.4
1.3
2.2
3.1
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述 |
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