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參數資料
| 型號： | FDW2508 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道1.8伏指定的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | FDW2508 |
FDW2508P Rev. E (W)
Typical Characteristics
0
15
30
45
60
0
1
2
3
4
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-2.0V
-1.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
15
30
45
60
-I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -1.8V
-3.0V
-2.0V
-4.5V
-2.5V
-3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -6A
V
GS
= -4.5V
0.005
0.015
0.025
0.035
0.045
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -3A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
0.6
1
1.4
1.8
2.2
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW2508P | Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDW2509NZ | Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2510NZ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2511NZ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDW2508P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL P SMD TSSOP-8 |
| FDW2508PB | 功能描述:MOSFET -12V Dual P-Ch -1.8VSpecif MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW2509 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2509NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V N-Ch MOSFET Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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