- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375787 > FDW252P (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDW252P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8.8 A, 20 V, 0.0125 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | FDW252P |
FDW252P Rev. B(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= -8.8A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
0
3
6
9
12
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
0
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 208 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW254PZ | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW254P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW256P | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDW258P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2601NZ_NL | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDW252P_Q | 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW254P | 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW254P_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW254P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW254P_Q | 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。