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參數資料
| 型號： | FDW2601NZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8.2 A, 30 V, 0.015 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | FDW2601NZ |
FDW2601NZ Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
4
Typical Characteristic
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
I
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 2.5V
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
500
5
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
TRANSCONDUCTANCE
IN THIS REGION
V
GS
= 2.5V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW262P | 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDW264P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW6923 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode |
| FDW9926NZ | Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET |
| FDW9926 | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDW2601NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW2601NZ_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW262P | 功能描述:MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW262P_Q | 功能描述:MOSFET 20V PCh MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDW264P | 功能描述:MOSFET P-Ch 2.5V Spec PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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