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參數資料
| 型號： | FDW2601NZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8.2 A, 30 V, 0.015 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | FDW2601NZ |
FDW2601NZ Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
6
Figure 11. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 12. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 13. Gate Charge Waveforms for Constant Gate Currents
Typical Characteristic
(Continued)
T
A
= 25
°
C unless otherwise noted
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
0.1
1
10
4000
30
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
0
1.5
3.0
4.5
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Qg, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 1A
I
D
= 8.2A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW262P | 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDW264P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDW6923 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode |
| FDW9926NZ | Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET |
| FDW9926 | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDW264P | 功能描述:MOSFET P-Ch 2.5V Spec PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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