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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDZ2553N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
| 中文描述： | 9.6 A, 20 V, 0.014 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-18 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | FDZ2553N |
FDZ2553N Rev D2 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ2554PZ | Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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| FDZ293P | P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| FDZ294N | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDZ2553N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2553NZ | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2553NZ_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2554P | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ2554P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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