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參數(shù)資料
型號(hào): FDZ2554PZ
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
中文描述: 6.5 A, 20 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: BGA-18
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大小: 149K
代理商: FDZ2554PZ
FDZ2554P Rev C3 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDZ2554P Monolithic Common Drain P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ291P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ293P P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ294N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ298N N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ2554PZ_Q 功能描述:MOSFET 20/12V P-Ch Monolith Common Drain BGa RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ27064N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDZ291P 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.5V Spec PwrTrench BGA MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ291P_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench㈢ BGA MOSFET
FDZ293P 功能描述:MOSFET 2.5V PCH BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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