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參數資料
| 型號： | FDZ291P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| 中文描述： | 4.6 A, 20 V, 0.04 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-9 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | FDZ291P |
FDZ291P Rev. C1 (W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
V
GS
= -4.5V
-1.5V
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0
2
6
8
10
-I
D
, D4
R
D
,
D
V
GS
= -1.5V
-3.5V
-3.0V
-4.5V
-2.5V
-2.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
50
75
100
125
150
T
J
, JUN25
C)
R
D
,
I
D
= -4.6A
V
GS
= -4.5V
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -2.3 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
-V
SD
, BOD0.4
0.6
0.8
1
1.2
-
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDZ293P | P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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| FDZ298N | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDZ291P_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench㈢ BGA MOSFET |
| FDZ293P | 功能描述:MOSFET 2.5V PCH BGA 1.5x1.5 SPECIFIED POWRTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ293P_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench㈢ BGA MOSFET |
| FDZ294N | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ294P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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