型號: | FF150R12KF2 |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國際消費電子展| 150A一(c)|米:HL093HW048 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 94K |
代理商: | FF150R12KF2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FF15R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF25R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF50R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
FF75R12KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
FF75R12KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FF150R12KL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
FF150R12KS4 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 150A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF150R12KS4_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF150R12KT3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 225A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
FF150R12ME3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |