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參數資料

型號：	FF50R10KN
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| M:HL080HD5.3
中文描述：	晶體管\| IGBT的\|正陳\|雙\| 1KV交五（巴西）國際消費電子展\| 50A條一（c）\|米：HL080HD5.3
文件頁數：	1/1頁
文件大小：	48K
代理商：	FF50R10KN

相關PDF資料	PDF描述
FF75R12KF	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 75A I(C) \| M:HL093HD5.6
FF75R12KF2	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 75A I(C) \| M:HL093HD5.6
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FS15R06KF	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 15A I(C)
FS15R10KF2	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 1KV V(BR)CES \| 15A I(C)

相關代理商/技術參數	參數描述
FF50R12KF	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF50R12KF2	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF50R12KL	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 50A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF50R12RT4	功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF50U60M1PWD	功能描述:MOSFET 600V/50a FRD/ IGBT CO PaK RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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