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參數(shù)資料
型號(hào): FF400R06KF2
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 600V的五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展|四樓一(c)|米:HL093HW060
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
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代理商: FF400R06KF2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF400R06KF3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060
FF400R06KL2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C)
FF400R12KF1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114
FF400R16KF1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114
FF400R17KF6CB2 IGBT Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF400R06KF3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060
FF400R06KL2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C)
FF400R06ME3 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R07KE4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 400A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF400R07KE4_E 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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