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參數資料
| 型號： | FGD3N60LSDTF |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | D-PAK, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 848K |
| 代理商： | FGD3N60LSDTF |
3
www.fairchildsemi.com
FGD3N60LSD Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 3A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
--
1.5
1.9
V
--
1.55
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 3A,
di/dt = 100A/us
V
R
= 200V
--
234
--
ns
--
--
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
--
2.64
--
A
--
--
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
309
--
nC
--
--
--
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGD3N60LSDTM | IGBT |
| FGH20N6S2D | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| FGB20N6S2D | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| FGP20N6S2D | Switch Mode Power Supply; Output Power:300W; No. of Outputs:1; Output 1 VDC +:5VDC; Output Current 1:60A; Power Supply Mounting:Chassis; Output Current:60A; Output Power Max:300W; Output Voltage:5VDC; Series:JWS RoHS Compliant: Yes |
| FGB20N6S2DT | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGD3N60LSDTM | 功能描述:IGBT 晶體管 600V IGBT HID Application RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGD3N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGD4536 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:360V, PDP IGBT |
| FGD4536TM | 功能描述:IGBT 晶體管 360V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGD4536TM_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 360V 125W DPAK |
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