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參數資料
| 型號： | FGL40N150 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of the IGBT |
| 中文描述： | 電氣特性IGBT的 |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | FGL40N150 |
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output
Characteristics
Fig 3. Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Case Temperature
Fig 4. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
8V
V
GE
= 6V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
6
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
0
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
Common Emitter
V
GE
=0V, f=1MHz
Tc=25
o
C
Cies
Coes
Cres
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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