- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375796 > FGL40N150D (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Electrical Characteristics of the IGBT PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FGL40N150D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of the IGBT |
| 中文描述： | 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 440K |
| 代理商： | FGL40N150D |
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output
Characteristics
Fig 3. Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Case Temperature
Fig 4. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
8V
V
GE
= 6V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
6
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
0
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
Common Emitter
V
GE
=0V, f=1MHz
Tc=25
o
C
Cies
Coes
Cres
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTD | NPT-Trench IGBT |
| FGL60N100D | Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170D | Electrical Characteristics of IGBT |
| FGR15N40A | Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT |
| FGR3000CV-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGL40N150DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1500V/40A/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL40N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述: |
| FGL60N100BNTD | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N100D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。