欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): FGL40N150D
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Electrical Characteristics of the IGBT
中文描述: 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 440K
代理商: FGL40N150D
FGL40N150D Rev. A1
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output
Characteristics
Fig 3. Collector to Emitter Saturation
Voltage vs. Case Temperature
Fig 4. Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
8V
V
GE
= 6V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
6
I
C
= 40A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
0
C
40A
80A
20A
C
C
[
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
Common Emitter
V
GE
=0V, f=1MHz
Tc=25
o
C
Cies
Coes
Cres
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT
FGL60N100D Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGL40N150DTU 功能描述:IGBT 晶體管 1500V/40A/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL40N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:
FGL60N100BNTD 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N100BNTDTU 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N100D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
主站蜘蛛池模板: 青海省| 菏泽市| 朔州市| 金坛市| 西乡县| 浪卡子县| 长子县| 清苑县| 崇左市| 万安县| 堆龙德庆县| 黔江区| 山西省| 鱼台县| 岐山县| 大邑县| 百色市| 珠海市| 怀化市| 阿瓦提县| 乌拉特中旗| 青岛市| 高青县| 双流县| 兴隆县| 新民市| 大方县| 左云县| 孙吴县| 浏阳市| 黎城县| 南和县| 兖州市| 济阳县| 花莲市| 南皮县| 延安市| 资溪县| 庆城县| 溆浦县| 巴里|