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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FGL60N100BNTD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | NPT-Trench IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-264, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 682K |
| 代理商： | FGL60N100BNTD |
FGL60N100BNTD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
20V
15V
10V
9V
8V
7V
V
GE
= 6V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
T
C
= 125
℃
T
C
= 25
℃
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
------
℃
℃ ━━
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
1
2
3
I
C
=10A
30A
60A
80A
Common Emitter
V
GE
=15V
C
C
Case Temperature, T
C
[
]
℃
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Common Emitter
T
C
= - 40
O
C
I
C
=10A
80A
60A
30A
C
C
[
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Common Emitter
T
C
= 25
℃
80A
60A
30A
I
C
= 10A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Common Emitter
T
C
= 125
℃
80A
60A
30A
I
C
= 10A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
Fig 4. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Varient Current Level
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N100D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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