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參數資料
| 型號： | FGL60N100BNTD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | NPT-Trench IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 682K |
| 代理商： | FGL60N100BNTD |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FGL60N100BNTD Rev. A
F
Package Dimension
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
4.90
±
0.20
20.00
±
0.20
(8.30)
(8.30)
(1.00)
(0.50)
(2.00)
(7.00)
(R1.00)
(R.0
3
±
00
(7.00)
(1.50)
(1.50)
(1.50)
2.50
±
0.20
3.00
±
0.20
2.80
±
0.30
1.00
+0.25
–0.10
0.60
+0.25
–0.10
1
±
0
6
±
0
2
±
0
2
±
0
5
±
0
3
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0
2
±
0
(
(
(
(
(
(
(
(
TO-264
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FGR3000CV-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGL60N100BNTDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH_POWER RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N100D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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