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參數(shù)資料
型號(hào)： FGL60N100D
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Electrical Characteristics of IGBT
中文描述： 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 438K
代理商： FGL60N100D
FGL60N100D Rev. A
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
CE
= 1000V, V
GE
= 0V
V
GE
= ± 25, V
CE
= 0V
--
--
--
--
1.0
± 500
mA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 60mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.6
2.5
7.0
2.0
2.9
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
6300
160
140
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
V
CC
= 600V, I
C
= 60A,
R
G
= 51
, V
GE
=15V,
Resistive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
160
360
410
240
230
45
80
400
700
700
330
300
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
CE
= 600 V, I
C
= 60A,
V
GE
= 15V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
Typ.
1.2
1.8
1.2
0.05
Max.
1.7
2.1
1.5
2
Units
V
V
us
uA
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 60A di/dt = -20A/us
V
RRM
= 1000V
t
rr
I
R
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous Reverse Current
--
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGR3000FX-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGL60N100DTU 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL60N170D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170DTU 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGLD12SR6040A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4.5-14.4Vdc Input, 40A, 0.45-2.0Vdc Output
FGLD12SR6040NA 制造商:FDK America 功能描述:DC/DC CONVERTER 0.6-2V 40A 80W
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