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參數資料
| 型號： | FGL60N100D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | FGL60N100D |
FGL60N100D Rev. A
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
CE
= 1000V, V
GE
= 0V
V
GE
= ± 25, V
CE
= 0V
--
--
--
--
1.0
± 500
mA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 60mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.6
2.5
7.0
2.0
2.9
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
6300
160
140
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
V
CC
= 600V, I
C
= 60A,
R
G
= 51
, V
GE
=15V,
Resistive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
160
360
410
240
230
45
80
400
700
700
330
300
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
CE
= 600 V, I
C
= 60A,
V
GE
= 15V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
Typ.
1.2
1.8
1.2
0.05
Max.
1.7
2.1
1.5
2
Units
V
V
us
uA
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 60A di/dt = -20A/us
V
RRM
= 1000V
t
rr
I
R
Diode Reverse Recovery Time
Instantaneous Reverse Current
--
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N170D | Electrical Characteristics of IGBT |
| FGR15N40A | Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT |
| FGR3000CV-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGR3000CV-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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