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參數資料
型號: FGL60N100D
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Electrical Characteristics of IGBT
中文描述: 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 438K
代理商: FGL60N100D
FGL60N100D Rev. A
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0.1
1
10
100
1000
10000
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
Cies
Coes
Cres
C
Collector-Emitter Voltage [V]
0
50
100
150
200
10
100
1000
10000
V
CC
=600V, I
C
=60A
V
GE
=
±
15V
Tdoff
Tdon
Tr
Tf
S
Gate Resistance, R
G
[
]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Switching Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Switching Characteristics vs.
Collector Current
Fig 10. Gate Charge Characteristics
Fig 11. SOA Characteristics
Fig 12. Transient Thermal Impedance of IGBT
10
20
30
40
50
60
100
1000
V
CC
=600V, Rg=51
V
GE
=
±
15V, T
C
=25
Tr
Tf
Tdoff
S
Collector Current, I
C
[A]
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
Common Emitter
V
CC
=600V, R
L
=10
T
C
=25
G
G
Gate Charge, Q
g
[nC]
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
θ
J
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive Pulse
T
= 25
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1ms
DC Operation
I
C
MAX. (Pulsed)
I
C
MAX. (Continuous)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
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PDF描述
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
FGR15N40A Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT
FGR3000CV-90DA HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
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