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參數(shù)資料
| 型號： | FGL60N100D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Electrical Characteristics of IGBT |
| 中文描述： | 60 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | FGL60N100D |
FGL60N100D Rev. A
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
0.1
1
10
100
1000
10000
Common Emitter
V
GE
= 0V, f = 1MHz
T
C
= 25
℃
Cies
Coes
Cres
C
Collector-Emitter Voltage [V]
0
50
100
150
200
10
100
1000
10000
V
CC
=600V, I
C
=60A
V
GE
=
±
15V
Tdoff
Tdon
Tr
Tf
S
Gate Resistance, R
G
[
]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Switching Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Switching Characteristics vs.
Collector Current
Fig 10. Gate Charge Characteristics
Fig 11. SOA Characteristics
Fig 12. Transient Thermal Impedance of IGBT
10
20
30
40
50
60
100
1000
V
CC
=600V, Rg=51
V
GE
=
±
15V, T
C
=25
℃
Tr
Tf
Tdoff
S
Collector Current, I
C
[A]
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
Common Emitter
V
CC
=600V, R
L
=10
T
C
=25
℃
G
G
Gate Charge, Q
g
[nC]
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
θ
J
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Single Nonrepetitive Pulse
T
= 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1ms
DC Operation
I
C
MAX. (Pulsed)
I
C
MAX. (Continuous)
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL60N170D | Electrical Characteristics of IGBT |
| FGR15N40A | Strobe Flash N-Channel Logic Level IGBT |
| FGR3000CV-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGR3000CV-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGR3000FX-90DA | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGL60N100DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 60A 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL60N170D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGLD12SR6040A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4.5-14.4Vdc Input, 40A, 0.45-2.0Vdc Output |
| FGLD12SR6040NA | 制造商:FDK America 功能描述:DC/DC CONVERTER 0.6-2V 40A 80W |
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