欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FJE3303
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage Switch Mode Applications
中文描述: 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁數: 2/6頁
文件大小: 70K
代理商: FJE3303
2
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
300
μ
s, Duty Cycle
2%
h
FE
Classification
Classification
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
Collector-Base Breakdwon Voltage
I
C
= 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 700V, I
E
= 0
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 2V, I
C
= 1.0A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.25A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.25A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CC
= 125V, I
C
= 1A
I
B1
= 0.2A, I
B2
= -0.2A
R
L
= 125
700
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
9
V
Collector Cut-off Current
10
μ
A
μ
A
Emitter Cut-off Current
10
DC Current Gain *
8
5
21
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5
1.0
3.0
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
1.0
1.2
V
V
f
T
C
ob
t
ON
t
STG
t
F
Current Gain Bandwidth Product
4
MHz
Output Capacitance
21
pF
Turn On Time
1.1
μ
s
μ
s
μ
s
Storge Time
4.0
Fall Time
0.7
H1
H2
h
FE1
8 ~ 16
14 ~ 21
相關PDF資料
PDF描述
FJE5304D High Voltage High Speed Power Switch Application
FJH1100 Ultra Low Leakage Diode
FJH1101 Ultra Low Leakage Diode
FJH1102 Ultra Low Leakage Diode
FJL4215 Audio Power Amplifier
相關代理商/技術參數
參數描述
FJE3303H1 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Applications
FJE3303H1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT Silicon Transistor NPN Sil Xstr Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
主站蜘蛛池模板: 屏山县| 加查县| 宜丰县| 通江县| 凌海市| 溧阳市| 顺平县| 新密市| 蕲春县| 萨迦县| 哈尔滨市| 克拉玛依市| 芒康县| 大足县| 龙游县| 鲁山县| 方城县| 宁津县| 雅安市| 军事| 防城港市| 新巴尔虎左旗| 鸡泽县| 左贡县| 芒康县| 韶山市| 双峰县| 会理县| 神木县| 成都市| 万宁市| 毕节市| 吉水县| 启东市| 宜都市| 江源县| 通渭县| 遵义市| 鄄城县| 中卫市| 浠水县|