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參數資料
| 型號： | FJL6820 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 20 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264 |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | FJL6820 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, May 2001
F
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristics
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Resistive Load Switching Time
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
I
B
=2.0A
I
B
=1.8A
I
B
=1.6A
I
B
=1.4A
I
B
=1.2A
I
B
=1.0A
I
B
=0.8A
I
B
=0.6A
I
B
=0.4A
I
B
=0.2A
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1
10
100
Ta = - 25
0
C
Ta = 25
0
C
Ta = 125
0
C
V
CE
= 5V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 3 I
B
Ta = 25
Ta = - 25
0
C
0
C
Ta = 125
0
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 5 I
B
Ta = - 25
0
C
Ta = 25
0
C
Ta = 125
0
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
- 25
0
C
25
0
C
125
0
C
V
CE
= 5V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
B1
= 2A, V
CC
= 200V
I
C
= 10A
t
STG
t
F
t
S
F
μ
s
I
B2
[A], REVERSE BASE CURRENT
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PDF描述 |
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參數描述 |
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| FJL6825 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
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| FJL6825TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6920 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
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