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參數資料
| 型號： | FJL6820 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 20 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264 |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | FJL6820 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, May 2001
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Time
Figure 8. Resistive Load Switching Time
Figure 9.
Forward Bias Safe Operating Area
Figure 10. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 11. Power Derating
1
10
0.1
1
10
I
B2
= - 4A, V
CC
= 200V
I
C
= 10A
t
STG
t
F
t
S
F
μ
s
I
B1
[A], FORWARD BASE CURRENT
1
10
100
0.1
1
10
I
B1
= 2A, I
B2
= - 4A
V
CC
= 200V
t
STG
t
F
t
F
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
T
C
= 25
Single Pulse
o
C
t = 100ms
t = 10ms
t = 1ms
I
C
(Pulse)
I
C
(DC)
I
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
10
100
1000
10000
5
10
15
20
25
30
35
40
V
BE
(off) = - 6V
V
BE
(off) = - 3V
R
B2
= 0, I
= 15A
V
CC
= 30V, L = 200
μ
H
1
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
P
C
T
C
[
O
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJL6825 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJL6920YDTU | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJL6920 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJN13003 | NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor |
| FJN3301R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJL6820TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6825 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJL6825ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1500V/750V/25A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6825TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6920 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
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