欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FJL6825
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
中文描述: 25 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數: 3/5頁
文件大?。?/td> 107K
代理商: FJL6825
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2001
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Time
Figure 8. Resistive Load Switching Time
Figure 9.
Forward Bias Safe Operating Area
Figure 10. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 11. Power Derating
1
10
0.01
0.1
1
10
I
B2
= - 4.8A, V
CC
= 200V
I
C
= 12A
t
STG
t
F
t
S
F
μ
s
I
B1
[A], FORWARD BASE CURRENT
1
10
100
0.1
1
10
I
B1
= 2.4A, I
B2
= - 4.8A
V
CC
= 200V
t
STG
t
F
t
F
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
T
C
= 25
Single Pulse
o
C
t = 100ms
t = 10ms
t = 1ms
I
C
(Pulse)
I
C
(DC)
I
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
10
100
1000
10000
10
20
30
40
50
R
B2
= 0, I
= 15A
V
CC
= 30V, L = 200
μ
H
V
BE
(off) = -3V
V
BE
(off) = -6V
1
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
P
C
T
C
[
O
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料
PDF描述
FJL6920YDTU NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJL6920 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJN13003 NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor
FJN3301R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJN3302R NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
FJL6825ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1500V/750V/25A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJL6825TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJL6920 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJL6920TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJL6920YDTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
主站蜘蛛池模板: 莱阳市| 宁阳县| 石棉县| 光泽县| 涟源市| 杂多县| 陕西省| 洛南县| 璧山县| 安仁县| 定襄县| 镇巴县| 繁昌县| 炉霍县| 手机| 剑河县| 泰州市| 合川市| 大宁县| 广昌县| 湘乡市| 贵南县| 中卫市| 金乡县| 丹寨县| 达孜县| 拉萨市| 铜川市| 云南省| 天水市| 神木县| 潮州市| 石台县| 农安县| 庆阳市| 南澳县| 巨鹿县| 九龙县| 海门市| 岗巴县| 江山市|