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參數資料
| 型號： | FJL6825 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 25 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264 |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | FJL6825 |
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2001
F
Dimensions in Millimeters
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
4.90
±
0.20
20.00
±
0.20
(8.30)
(8.30)
(1.00)
(0.50)
(2.00)
(7.00)
(R1.00)
(R.0
3
±
00
(7.00)
(1.50)
(1.50)
(1.50)
2.50
±
0.20
3.00
±
0.20
2.80
±
0.30
1.00
+0.25
0.60
+0.25
–0.10
1
±
0
6
±
0
2
±
0
2
±
0
5
±
0
3
±
0
2
±
0
(
(
(
(
(
(
(
(
TO-264
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FJN3302R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJL6825ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1500V/750V/25A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6825TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6920 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJL6920TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJL6920YDTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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